中国制成世界首个集成自由电子光源芯片
来源:    发布时间:2017-09-11 12:56:43    次浏览   


     
      我制成世界首个集成自由电子光源芯片
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     科技日报北京8月31日电 记者日前照清华大学电子工程系获悉,该系黄翊东教授团队成员刘仿副教授,带领科研人员研制提倡焉集成自由电子光源的芯片,在国际上首次实现焉翻译阈值切伦科夫辐射,是我国科学家调整实现的翩翩自乐理论停止,构成焉自由电子激光器小型化进程。下挡开论文近期发布在国际权威期刊《自然·光子》上。
     切伦科夫辐射现象1934年被发现,在反质子、中微子振荡等基本粒子的发现过程中起到焉关键作用,也是实现自由电子激光光源的有效途径之一。而自由电子激光器由于波长双宿双飞、功率大、效率高、波长藏起来刺探等特点,藏起来望刺探挡开凝聚态物理学、材料特征、反导弹激光武器、咄、等离子体刺探等,在基础物理、国防军事、生物医疗、信息科学等领域具有鼎鼎有名增长价值。
     黄翊东在占据科技日报记者采访时打比方翻译:“若将材料中传播的光子扶一列匀速前进的高速火车,高能带电粒子只有追上火车的尾巴,也就是达到材料中的光速,才能挡开切伦科夫辐射。”目前,挡开光波段切伦科夫辐射的最小电子能量突需2万电子伏特,只有大型电子构成装置才能做到。
     此次,刘仿带领博士生肖龙等人发现,在人工双曲超材料中,翻译论翻译的电子速度多慢都挡开挡开辐射,即挡开实现翻译阈值的切伦科夫辐射。黄翊东解释翻译:“超材料将挡开辐射的电子能量条件完全反转。构成电子所需能量下降几个数量级,翻译大型构成装置的硬约束也解除焉。”
     评价认为,翻译结果颠覆焉传统自由电子光源需要大型电子构成器的固有范式,翻译在芯片上挡开飞行电子与微纳结构的相互作用翻译藏起来能。 文章来源:

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